[发明专利]光电装置无效
| 申请号： | 201180016728.8 | 申请日： | 2011-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN103125054A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 萨克吉班·杜三治;伊恩·里阿尔曼;格登·本治;迈克尔·罗伯逊 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/227;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 钟胜光 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供用于电子装置，优选用于光电装置的电流阻断结构。所述电流阻断结构包括：半导体材料布置，其包括n型掺钌磷化铟（Ru-InP）层；以及第一p型半导体材料层，其中所述n型Ru-InP层的厚度小于0.6微米。所述半导体材料布置以及所述p型半导体材料层形成电流阻断p-n结。所述电流阻断结构可更包括其他n型层和/或多个n型Ru-InP层和/或本征/未经掺杂层，其中所述n型Ru-InP层的厚度大于0.6微米。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 装置 | ||
【主权项】：
一种电子装置，包括电流阻断结构；所述电流阻断结构包括：a）第一p型半导体材料层；以及b）半导体材料布置，其包括n型掺钌磷化铟（Ru‑InP）层；所述半导体材料布置以及所述p型半导体材料层形成第一p‑n结；其中所述n型掺钌磷化铟层的厚度小于0.6微米。
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