[发明专利]有机半导体材料、有机半导体组合物、有机薄膜和场效应晶体管及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201180016737.7 申请日: 2011-09-06
公开(公告)号: CN102823011A 公开(公告)日: 2012-12-12
发明(设计)人: 贞光雄一 申请(专利权)人: 日本化药株式会社
主分类号: H01L51/30 分类号: H01L51/30;C07D495/04;C08K5/45;C08L65/00;H01L21/336;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/40
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 王海川;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种场效应晶体管,其特征在于,含有下述式(1)和式(2)表示的化合物作为有机半导体材料且具有特定的顶栅-底接触结构。式(1)中,R1和R2各自独立地表示未取代或卤素取代的C1~C36脂肪族烃基。式(2)中,Ar1、Ar2和Ar3各自独立地为取代或未取代的芳香族烃基,n表示6以上的整数。
搜索关键词: 有机 半导体材料 有机半导体 组合 薄膜 场效应 晶体管 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种有机半导体材料,其含有由下述式(1)和式(2)表示的化合物,式(1)中,R1和R2各自独立地表示未取代或卤素取代的C1~C36脂肪族烃基,式(2)中,Ar1、Ar2和Ar3各自独立地表示取代或未取代的芳香族烃基,n表示6以上的整数。
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