[发明专利]半导体发光器件有效
| 申请号： | 201180016978.1 | 申请日： | 2011-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102822996A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 奥野浩司 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;吴鹏章 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为了提高光提取效率，公开了一种半导体发光器件，其中，每层由III族氮化物基化合物半导体形成。发光器件包括：蓝宝石衬底(10)，在该蓝宝石衬底(10)的表面上平行于第一方向(x轴)布置多个条状沟槽(11)；在所述蓝宝石衬底的表面(10a)上和沟槽(11)中沿第一方向不连续地形成的电介质(15)。半导体发光器件具有包含在沟槽的侧面上生长并且覆盖所述蓝宝石衬底的表面(10a)和电介质(15)的顶表面(15a)的III族氮化物基化合物半导体的基层；以及在基层上形成的构成发光器件的器件层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，其中每个层由III族氮化物基化合物半导体制成，所述发光器件包括：蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底具有在所述衬底的表面上沿第一方向平行地布置的多个条状图案沟槽；在所述蓝宝石衬底上和在所述沟槽中形成的电介质，所述电介质至少沿所述第一方向是不连续的；由在所述沟槽的侧表面上生长并且覆盖所述蓝宝石衬底的表面和所述电介质的顶表面的III族氮化物基化合物半导体制成的基层；以及在所述基层上形成的构成发光器件的器件层。
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