[发明专利]发光装置无效

专利信息
申请号: 201180017058.1 申请日: 2011-03-30
公开(公告)号: CN102823001A 公开(公告)日: 2012-12-12
发明(设计)人: 木岛直人;胜本觉成;与安史子;树神弘也;横尾敏明;武田立;大中修治 申请(专利权)人: 三菱化学株式会社
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的课题在于,提供一种能够容易地调整发光光谱的发光装置,该发光装置的发光效率更高。一种发光装置,其具有半导体发光元件和荧光体层,该荧光体层具备发光光谱不同的A区域和B区域,所述A区域和B区域在平面上以相同的荧光体部不相邻的方式配置有多个荧光体部,其中,在荧光体层中,在A区域和B区域中,使得特定的荧光体部所占的面积不同,由此解决了其课题。
搜索关键词: 发光 装置
【主权项】:
一种发光装置,其构成为具有半导体发光元件和荧光体层,该荧光体层具备发光光谱不同的A区域和B区域,该发光装置的特征在于,该发光装置构成为:(i)所述半导体发光元件发出具有350nm以上520nm以下的波长的光,(ii)所述A区域包含两个以上的第1A荧光体部和两个以上的第2A荧光体部,并且所述B区域包含两个以上的第1B荧光体部和两个以上的第2B荧光体部,(iii)所述A区域中相邻的第1A荧光体部和第2A荧光体部在其边界面处沿着与荧光体层的厚度方向垂直的方向配置,所述B区域中相邻的第1B荧光体部和第2B荧光体部在其边界面处沿着与荧光体层的厚度方向垂直的方向配置,(iv)所述第1A荧光体部含有第1A荧光体,该第1A荧光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比所述半导体发光元件发出的光更长的光的光,(v)所述第2A荧光体部含有第2A荧光体,该第2A荧光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比所述第1A荧光体发出的光更长的光的光,(vi)所述第1B荧光体部含有第1B荧光体,该第1B荧光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比所述半导体发光元件发出的光更长的光的光,(vii)所述第2B荧光体部含有第2B荧光体,该第2B荧光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比所述第1B荧光体发出的光更长的光的光,(viii)能够调整从所述半导体发光元件照射到所述A区域和B区域的光的比例。
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