[发明专利]半极性平面III-氮化物半导体基发光二极管和激光二极管的氮化铝镓阻挡层和分离限制异质结构(SCH)层无效
| 申请号： | 201180017281.6 | 申请日： | 2011-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN102823088A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | Y-D·林;H·太田;S·纳卡姆拉;S·P·德恩巴拉斯;J·S·斯派克 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民;陆惠中 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 半极性平面III-氮化物半导体基激光二极管或发光二极管，其包含用于发射光的半极性含铟多量子阱，具有含铝量子阱阻挡层，其中所述含铟多个量子阱和含铝阻挡层在半极性平面上以半极性取向生成。 | ||
| 搜索关键词： | 极性 平面 iii 氮化物 半导体 发光二极管 激光二极管 氮化 阻挡 分离 限制 结构 sch | ||
【主权项】：
半极性平面III‑氮化物半导体基光电子器件结构，包含：一个或多个III‑氮化物器件层，所述一个或多个III‑氮化物器件层包含活性层，其中所述活性层包含：至少第一和第二含铝(Al)量子阱阻挡层；和半极性含铟(In)量子阱层，所述半极性含铟(In)量子阱层位于所述第一与第二含Al量子阱阻挡层之间，其中所述半极性含In量子阱层以及所述第一和第二含Al量子阱阻挡层在半极性平面上以半极性取向生成。
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