[发明专利]稠合的二噻吩共聚物

摘要

本发明公开了一种有机半导体材料、层或组件，包含式(I)的共聚物，其中v和w各自通常为4-1000；A为式(II)或(III)的苯并二噻吩重复单元，以及COM选自某些亚芳基类型重复单元及其组合，其他符号如权利要求书中所定义。本发明共聚物及其复合材料可以在电子器件如光电二极管，有机场效应晶体管，以及尤其是有机光伏器件如太阳能电池的制备中用作半导体。

主权项

1.一种有机半导体材料、层或组件，其包含含有重复结构单元-[A]-和-[COM]-的聚合物(I)，优选重量比[A]:[COM]为1:20-20:1，其中A为式II或III的苯并二噻吩重复单元：COM选自下式的重复单元：及其组合，其中G₁、G₂、G₃、G₄和G₅可以相同或不同且选自氢，卤素如F，C₁-C₂₅烷基，O-和／或S-间隔的C₂-C₂₅烷基，C₁-C₂₅烷氧基，C₃-C₁₂环烷基，C₂-C₂₅链烯基，C₂-C₂₅炔基，C₄-C₂₅芳基，C₅-C₂₅烷基芳基或C₅-C₂₅芳烷基，它们各自未被取代或被一个或多个卤素、羟基、硝基、-CN或C₆-C₁₈芳基取代，并且具有两个或更多个碳原子的任何烷基可以被-O-、-COO-、-OCO-、-S-间隔；R¹和R²可以相同或不同且选自氢，C₁-C₁₀₀烷基，-COOR¹⁰³，被一个或多个卤原子、羟基、硝基、-CN或C₆-C₁₈芳基取代和／或被-O-、-COO-、-OCO-或-S-间隔的C₁-C₁₀₀烷基，C₇-C₁₀₀芳基烷基，氨基甲酰基，可以被C₁-C₈烷基和／或C₁-C₈烷氧基取代1-3次的C₅-C₁₂环烷基，可以被C₁-C₈烷基、C₁-C₈硫代烷氧基和／或C₁-C₈烷氧基取代1-3次的C₆-C₂₄芳基，尤其是苯基或1-或2-萘基，或五氟苯基；p为0、1、2或3；R³和R³’相互独立地为氢，卤素，可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基，C₇-C₂₅芳基烷基或C₁-C₂₅烷氧基；R⁴和R⁴’相互独立地为氢，卤素，可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基，C₇-C₂₅芳基烷基或C₁-C₂₅烷氧基；X¹和X²相互独立地为-O-、-S-、-NR⁸-、-Si(R¹¹)(R¹¹’)-、-C(R⁷)(R⁷’)-、-C(=O)-、X³和X⁴中的一个为N且另一个为CR⁹⁹；X⁵为-O-或-NR⁸-；R⁵和R⁵’相互独立地为氢，卤素，可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基，可以任选被C₁-C₈烷基和／或C₁-C₈烷氧基取代1-3次的C₆-C₂₄芳基，C₇-C₂₅芳基烷基，CN或C₁-C₂₅烷氧基；或R⁵和R⁵’一起形成环；R⁶为H，可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₁₈烷基，C₁-C₁₈全氟烷基，可以任选被C₁-C₈烷基和／或C₁-C₈烷氧基取代1-3次的C₆-C₂₄芳基，可以任选被C₁-C₈烷基和／或C₁-C₈烷氧基取代1-3次的C₂-C₂₀杂芳基，或CN；R⁷和R⁷’相互独立地为氢，可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₃₅烷基，或C₇-C₂₅芳基烷基；R⁸和R⁸’相互独立地为氢，C₆-C₁₈芳基，被C₁-C₁₈烷基或C₁-C₁₈烷氧基取代的C₆-C₁₈芳基，或可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基，尤其是C₄-C₂₅烷基，或C₇-C₂₅芳基烷基；R¹¹和R¹¹’相互独立地为C₁-C₃₅烷基，C₇-C₂₅芳基烷基或可以任选被C₁-C₈烷基和／或C₁-C₈烷氧基取代1-3次的苯基；R¹⁰³为C₁-C₅₀烷基，尤其是C₄-C₂₅烷基；R⁹⁹、R¹⁰⁴和R¹⁰⁴’相互独立地为氢，卤素，尤其是F，或可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基，尤其是C₄-C₂₅烷基，C₇-C₂₅芳基烷基或C₁-C₂₅烷氧基；R¹⁰⁵和R¹⁰⁵’相互独立地为氢，卤素，可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基，C₇-C₂₅芳基烷基或C₁-C₁₈烷氧基；R¹⁰⁷为H，C₆-C₁₈芳基，被C₁-C₁₈烷基或C₁-C₁₈烷氧基取代的C₆-C₁₈芳基，C₁-C₁₈烷基或被-O-间隔的C₂-C₁₈烷基。