[发明专利]用于易碎材料的镭射单一化的改善的方法及装置有效
| 申请号： | 201180017460.X | 申请日： | 2011-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102844844A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 大迫康;达瑞·芬恩 | 申请（专利权）人： | 伊雷克托科学工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;安利霞 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种用于电子基板60单一化成晶粒的改良方法，运用一镭射70先在该基板60形成切割62，而后借由改变镭射参数以对切割62之边缘63去角66、67。此去角66、67动作借由降低残留损伤而增加晶粒断裂强度，并在不需要额外制程步骤、额外设备或耗材供应下移除初始镭射切割62所造成的碎片。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 易碎 材料 镭射 单一化 改善 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种用于镭射加工易碎工件之改良的方法，所述改良之处包含：提供具有镭射参数之镭射；利用第一镭射参数以所述镭射在所述工件中进行第一切割；以及利用第二镭射参数以所述镭射在所述工件中进行第二切割，所述第二切割大致相邻所述第一切割，同时基本上避开所述第一镭射切割所产生之碎片云。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
