[发明专利]PTC元件和加热元件模块有效
| 申请号： | 201180017538.8 | 申请日： | 2011-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN102822911A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 岛田武司;猪野健太郎;木田年纪 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01C7/02 | 分类号： | H01C7/02;C04B35/468;H01B3/12;H01L35/00 |
| 代理公司： | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人： | 陈波;文琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本申请的目的是提供一种可以被制造得更薄且使用无铅半导体陶瓷组合物的PTC元件。所述目的利用下述PTC元件来实现，所述PTC元件包含至少两个金属电极以及排列在所述电极之间的BaTiO3系统半导体陶瓷组合物，其中在所述半导体陶瓷组合物中，所述BaTiO3系统中的一部分Ba被Bi-Na和半导体化元素代替，通过排除至少一部分Bi在Bi位点上形成空位，并在其晶体上形成氧缺陷。由于所述半导体陶瓷组合物内部处的PTCR特性同所述半导体陶瓷组合物与所述电极之间界面处的PTCR特性相比弱得可以忽略，因此PTC元件可以被制造得更薄。 | ||
| 搜索关键词： | ptc 元件 加热 模块 | ||
【主权项】：
一种PTC元件，该PTC元件包括至少两个金属电极和布置在所述电极之间的BaTiO3系半导体陶瓷组合物，其中，在所述半导体陶瓷组合物中，所述BaTiO3系中的一部分Ba被Bi‑Na和半导体化元素代替，在至少Bi位点处形成空位，并在其晶体上形成氧缺陷。
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