[发明专利]曝光方法及曝光装置有效

专利信息
申请号: 201180017800.9 申请日: 2011-03-03
公开(公告)号: CN102834780A 公开(公告)日: 2012-12-19
发明(设计)人: 梶山康一;水村通伸 申请(专利权)人: 株式会社V技术
主分类号: G03F9/00 分类号: G03F9/00;G03F7/20;G03F7/22;H01L21/027
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 刘文海
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的曝光方法边使基板沿着一定方向移动,边在所述基板上的图案形成区域经由光掩模而使预先设定的图案依次曝光,其中,执行如下步骤:在所述基板上使所述图案曝光,另一方面,使激光束向与基板移动方向交叉的交叉方向的所述图案形成区域外照射,在所述基板面形成一定形状的伤痕而形成对准标记的步骤;检测所述对准标记相对于在所述基板移动方向后方位置预先设定的基准位置的向与基板移动方向交叉的交叉方向的位置偏移的步骤;使所述基板及所述光掩模相对移动来修正所述位置偏移的步骤;在所述图案的后续位置使下一图案曝光的步骤。由此,在大型的素色的基板上使图案高精度且低成本地曝光。
搜索关键词: 曝光 方法 装置
【主权项】:
一种曝光方法,边使基板沿着一定方向移动,边在所述基板上的图案形成区域经由光掩模而使预先设定的图案依次曝光,所述曝光方法的特征在于,执行如下步骤:在所述基板上使所述图案曝光,另一方面,使激光束向与基板移动方向交叉的交叉方向的所述图案形成区域外照射,在所述基板面形成一定形状的伤痕而形成对准标记的步骤;检测所述对准标记相对于在所述基板移动方向后方位置预先设定的基准位置的向与基板移动方向交叉的交叉方向的位置偏移的步骤;使所述基板及所述光掩模相对移动来修正所述位置偏移的步骤;在先曝光的所述图案的后续位置使下一图案曝光的步骤。
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