[发明专利]用于制造太阳能的电池的方法有效
申请号: | 201180017924.7 | 申请日: | 2011-02-16 |
公开(公告)号: | CN102822988B | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | T.贝斯克 | 申请(专利权)人: | 太阳世界工业图林根有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李少丹;卢江 |
地址: | 德国阿*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种用于由硅衬底制造太阳能电池的方法,所述硅衬底具有在使用状态中用作光入射侧的第一主表面和用作背侧的第二主表面,在第二主表面上具有钝化层,所述方法包括下述步骤:将含氧化物层施加到所述硅衬底的第二主表面上;和将所述硅衬底加热到至少800℃的温度以紧实所述含氧化物层并且以氧化所述含氧化物层与所述硅衬底的第二主表面之间的边界面,以形成热氧化物,其中,氧源输出用于氧化的氧。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 太阳能 电池 方法 | ||
【主权项】:
一种用于由硅衬底(1)制造太阳能电池的方法,所述硅衬底具有在使用状态中用作光入射侧的第一主表面(3)和用作背侧的第二主表面(4),在第二主表面(4)上具有钝化层,所述方法包括下述步骤:将含氧化物层(5)施加到所述硅衬底(1)的第二主表面(4)上;和将所述硅衬底(1)加热到至少800℃的温度以紧实所述含氧化物层(5)并且氧化所述含氧化物层(5)与所述硅衬底(1)的第二主表面(4)之间的边界面,以形成热氧化物(6),其中,氧源输出用于氧化的氧,其中,所述含氧化物层(5)包括超化学计量的氧化物SiO2+x:H和/或以BSG或PSG为形式的吸湿氧化物和/或TEOS氧化物,并且所述含氧化物层(5)用作氧源,其中,此外将在加热所述硅衬底(1)期间在所述第一主表面上和在所述第二主表面上产生的氧化硅层从第一主表面(3)上蚀刻去掉并且将所述含氧化物层(5)的一部分从所述第二主表面(4)上蚀刻去掉。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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