[发明专利]用于制造太阳能的电池的方法有效

专利信息
申请号: 201180017924.7 申请日: 2011-02-16
公开(公告)号: CN102822988B 公开(公告)日: 2016-11-16
发明(设计)人: T.贝斯克 申请(专利权)人: 太阳世界工业图林根有限责任公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/18
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李少丹;卢江
地址: 德国阿*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种用于由硅衬底制造太阳能电池的方法,所述硅衬底具有在使用状态中用作光入射侧的第一主表面和用作背侧的第二主表面,在第二主表面上具有钝化层,所述方法包括下述步骤:将含氧化物层施加到所述硅衬底的第二主表面上;和将所述硅衬底加热到至少800℃的温度以紧实所述含氧化物层并且以氧化所述含氧化物层与所述硅衬底的第二主表面之间的边界面,以形成热氧化物,其中,氧源输出用于氧化的氧。
搜索关键词: 用于 制造 太阳能 电池 方法
【主权项】:
一种用于由硅衬底(1)制造太阳能电池的方法,所述硅衬底具有在使用状态中用作光入射侧的第一主表面(3)和用作背侧的第二主表面(4),在第二主表面(4)上具有钝化层,所述方法包括下述步骤:将含氧化物层(5)施加到所述硅衬底(1)的第二主表面(4)上;和将所述硅衬底(1)加热到至少800℃的温度以紧实所述含氧化物层(5)并且氧化所述含氧化物层(5)与所述硅衬底(1)的第二主表面(4)之间的边界面,以形成热氧化物(6),其中,氧源输出用于氧化的氧,其中,所述含氧化物层(5)包括超化学计量的氧化物SiO2+x:H和/或以BSG或PSG为形式的吸湿氧化物和/或TEOS氧化物,并且所述含氧化物层(5)用作氧源,其中,此外将在加热所述硅衬底(1)期间在所述第一主表面上和在所述第二主表面上产生的氧化硅层从第一主表面(3)上蚀刻去掉并且将所述含氧化物层(5)的一部分从所述第二主表面(4)上蚀刻去掉。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太阳世界工业图林根有限责任公司,未经太阳世界工业图林根有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180017924.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top