[发明专利]用于多晶硅沉积的系统和方法无效
| 申请号： | 201180018050.7 | 申请日： | 2011-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN102985363A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 秦文军 | 申请（专利权）人： | GTAT有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035;C23C16/24;B01J19/26;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 梁兴龙;武玉琴 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于从含有至少一种硅前体化合物的气体来制造多晶硅的方法。该方法可以在化学气相沉积系统中从含有多晶硅前体化合物的气体实现，包括：在化学气相沉积反应室中建立气体的第一流型，促进至少一种前体化合物的至少一部分从具有第一流型的气体反应成多晶硅，在反应室中建立气体的第二流型，以及促进至少一种前体化合物的至少一部分从具有第二流型的气体反应成多晶硅。该化学气相沉积系统可以包括气体源，气体源包含含有至少一种前体化合物的气体；至少部分地由底板和钟罩限定的反应室；设置在底板和钟罩之一中的第一喷嘴组，第一喷嘴组通过第一歧管和第一流量调节器与气体源流体连接；第二喷嘴组，第二喷嘴组包括设置在底板和钟罩之一中的多个喷嘴，多个喷嘴通过第二歧管和第二流量调节器与气体源流体连接。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 多晶 沉积 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种用于从含有至少一种硅前体化合物的气体来制造多晶硅的方法，所述方法包括：在化学气相沉积反应室中建立气体的第一流型；促进所述至少一种前体化合物的至少一部分从具有第一流型的气体反应成多晶硅；在所述反应室中建立气体的第二流型；以及促进所述至少一种前体化合物的至少一部分从具有第二流型的气体反应成多晶硅。
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