[发明专利]微观特征中的种子层沉积有效
申请号: | 201180018086.5 | 申请日: | 2011-03-31 |
公开(公告)号: | CN103109365A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 丹尼尔·L·古德曼;亚瑟·柯格勒;约翰内斯·邱;刘震球 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创尼克斯公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用于在工件的大致平坦表面内制造的微观孔特征的内表面进行电镀的方法及系统。该方法包括设置工件以具有屏障金属镀层,其大致在工件的平坦表面以及微观孔特征的内表面连续并均匀,其中通过大致表面反应限制处理来涂布屏障金属镀层。设置工件以在工件的平坦表面上具有厚金属层的镀层,其被锚定至屏障金属镀层,并且被布置以使得在整个工件上设置的微观特征具有大致均匀的导电性。在工件的周边为导电镀层设置电接触路径。将工件浸入化学浴,并且使得化学浴完全接触微观孔特征的内表面,化学浴包含适于电沉积的金属离子。在工件的周边施加电压,以使得金属离子电沉积至工件的全部表面上,全部表面包含在一个电沉积步骤中形成预定表面镀层的微观孔特征的内表面。 | ||
搜索关键词: | 微观 特征 中的 种子 沉积 | ||
【主权项】:
一种方法,用于对在工件的大致平坦表面内制造的微观孔特征的内表面进行电镀的方法,所述方法包括:设置工件以具有屏障金属镀层,该屏障金属镀层在工件的所述平坦表面以及所述微观孔特征的所述内表面大致连续并均匀,其中通过大致表面反应限制处理来涂布所述屏障金属镀层;设置所述工件以在所述工件的所述平坦表面上具有厚金属层的镀层,该厚金属层被锚定至所述屏障金属镀层,并且被布置以使得在整个所述工件上设置的所述微观特征具有大致均匀的导电性;在所述工件的周边为导电镀层设置电接触路径;将所述工件浸入化学浴,并且使得所述化学浴完全接触所述微观孔特征的所述内表面,所述化学浴包含适于电沉积的金属离子;以及在所述工件的所述周边施加电压,以使得金属离子电沉积至所述工件的全部表面上,包括在一个电沉积步骤中形成预定表面镀层的所述微观孔特征的所述内表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造