[发明专利]氧化物超导导体及其制造方法有效
| 申请号： | 201180018194.2 | 申请日： | 2011-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN102834879A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 五十岚光则 | 申请（专利权）人： | 株式会社藤仓 |
| 主分类号： | H01B12/06 | 分类号： | H01B12/06;C01G1/00;C01G3/00;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;苗堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的氧化物超导导体具备基材和形成在所述基材上的氧化物超导层，该氧化物超导层由以RE1Ba2Cu3Oy（式中，RE表示稀土类元素，并满足6.5＜y＜7.1）的组成式表示的氧化物超导体构成。在所述氧化物超导层中分散有常导相和异相，上述常导相含有Ba，上述异相含有离子半径比Ba的离子半径小的碱土类金属。上述常导相为含有选自Zr、Sn、Hf、Ce及Ti中的1种和Ba的氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 超导 导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化物超导导体，其特征在于，具备基材和形成在所述基材上的氧化物超导层，所述氧化物超导层由以RE1Ba2Cu3Oy的组成式表示的氧化物超导体构成，所述式中，RE表示稀土类元素，并满足6.5＜y＜7.1，在所述氧化物超导层中分散有常导相和异相，所述常导相含有Ba，所述异相含有离子半径比Ba的离子半径小的碱土类金属，所述常导相为含有选自Zr、Sn、Hf、Ce及Ti中的1种和Ba的氧化物。
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