[发明专利]激光处理装置有效
申请号: | 201180018247.0 | 申请日: | 2011-04-08 |
公开(公告)号: | CN102834899A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 松岛达郎;伊藤大介;佐塚祐贵;时久昌吉;田子洋辅;清水良 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本制钢所 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/20 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 李玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种不必在激光处理装置中设置加载互锁室等、能迅速地搬出、搬入被处理体,而且能在短时间内使处理室内的气氛稳定的激光处理装置。本发明的激光处理装置包括:处理室(2),该处理室(2)收纳被处理体(100),并在进行了调节的气氛下对被处理体(100)照射激光;以及光学系统,该光学系统将激光从外部导向处理室(2)内,处理室(2)具有用于将被处理体(100)从处理室(2)外部装入处理室(2)内部的、可开闭的装入口(7),在处理室(2)内部,包括与装入口(7)相连的加载区域(A)、及与加载区域(A)相连的激光照射区域(B),并具有分隔部,该分隔部将加载区域(A)分隔成装入口侧的空间(A1)和激光照射区域侧的空间(A2),分隔部能使被处理体(100)在装入口侧空间(A1)与激光照射区域侧空间(A2)之间移动。 | ||
搜索关键词: | 激光 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种激光处理装置,其特征在于,包括:处理室,该处理室收纳被处理体,并在进行了调节的气氛下对该被处理体照射激光;以及光学系统,该光学系统将激光从外部导向该处理室内,所述处理室具有用于将所述被处理体从所述处理室外部装入所述处理室内部的、能开闭的装入口,并在所述处理室内部包括与所述装入口相连的加载区域、及与该加载区域相连的激光照射区域,在所述加载区域具有分隔部,该分隔部分隔出所述装入口侧的空间和包含所述激光照射区域的激光照射区域侧的空间,该分隔部能使所述被处理体在所述装入口侧的空间与所述激光照射区域侧的空间之间移动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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