[发明专利]用于减小存储器中的编程噪声的锯齿形多脉冲编程

摘要

在存储器系统中，编程波形通过使用具有锯齿形的多个相邻次脉冲集合而减小了编程噪声。在集合中，初始次脉冲从例如0V的初始电平步升至峰值电平，随后步降至在初始电平之上的中间电平。集合中的一个或多个后续的次脉冲可从中间电平步升至峰值电平，并随后步降至中间电平。集合中的最后次脉冲可从中间电平步升至峰值电平，并随后步降至初始电平。在次脉冲集合之后执行验证操作。在相继集合中的每集合次脉冲的数量可减少，直到朝编程操作结束施加孤立脉冲为止。

主权项

一种用于在非易失性存储系统中编程的方法，包括：与涉及非易失性存储元件集合(300)中的被选非易失性存储元件的编程操作结合，而将编程次脉冲(912、914、916、918；922、924、926、928；932、934、936；942、944、946；952、954；962、964)的多个编程次脉冲集合(910、920、930、940、950和960)施加至所述被选非易失性存储元件，所述非易失性存储元件集合与字线(WL0‑WL63)集合通信，并且所述多个编程次脉冲集合经由所述字线集合的被选字线而施加至所述被选非易失性存储元件，每个编程次脉冲集合包括：初始次脉冲(912、922、952、962)，所述初始次脉冲从公共起始电平(Vinitial)过渡到相应峰值电平(Vpeak)，并随后过渡到在所述公共起始电平与所述相应峰值电平之间的相应中间电平(Vint)，而不返回到所述公共起始电平；以及最后次脉冲(918、928、946、954、964)，所述最后次脉冲从相应中间电平(Vint)过渡到相应峰值电平(Vpeak)，并随后过渡到所述公共起始电平(Vinitial)，并且在所述编程操作期间，在至少一个编程次脉冲集合之后，对至少一个被选非易失性存储元件执行验证操作。