[发明专利]非制冷红外检测器及用于制造非制冷红外检测器的方法

摘要

本发明讨论了利用由制造厂限定的绝缘体上硅（SOI）的互补金属氧化物半导体（CMOS）晶片制成非制冷红外检测器的多种方法，各SOI-CMOS晶片均可包括：基体层；绝缘层，其具有像素区和围绕像素区的壁区；像素结构，其形成在绝缘层的像素区上；壁结构，其邻近像素结构形成，并位于绝缘层的壁区上；介电层，其覆盖像素结构和壁结构；像素掩膜，其形成在介电层内部，并在干式蚀刻工艺过程中保护像素结构；以及壁掩膜，其形成在介电层内部，并在干式蚀刻工艺过程中保护壁结构，由此在干式蚀刻工艺之后，释放在壁结构和像素结构之间限定的空间。

主权项

一种用于制造非制冷微测辐射热计的绝缘体上硅（SOI）的互补金属氧化物半导体（CMOS）晶片，所述SOI‑CMOS晶片包括：基体层；绝缘层，所述绝缘层形成在所述基体层上，所述绝缘层具有像素区和围绕所述像素区的壁区；像素结构，所述像素结构形成在所述绝缘层的像素区上；壁结构，所述壁结构邻近所述像素结构形成，并位于所述绝缘层的壁区上；介电层，所述介电层覆盖所述像素结构和所述壁结构；像素掩膜，所述像素掩膜形成在所述介电层内部，并用于在干式蚀刻工艺过程中保护所述像素结构；以及壁掩膜，所述壁掩膜形成在所述介电层内部，并用于在干式蚀刻工艺过程中保护所述壁结构，由此在所述干式蚀刻工艺之后，释放在所述壁结构和所述像素结构之间限定的空间。