[发明专利]通过自由基成分化学气相沉积的共形层

摘要

描述了用以由无碳的硅与氮的前驱物与自由基-氮的前驱物形成含有硅与氮的共形介电层(例如，硅-氮-氢(Si-N-H)膜)的方法、材料以及系统。无碳的硅与氮的前驱物主要藉由接触自由基-氮的前驱物而激发。因为硅与氮的膜在无碳情况下形成，因此可在较少孔形成以及较低体积收缩率下完成膜至硬化的氧化硅的转化。可将经沉积的含硅与氮的膜完全或部分转化为氧化硅，所述氧化硅容许共形介电层的光学特性成为可选择的。可在低温下进行含硅与氮的薄膜的沉积，以在基板沟槽中形成衬垫层。已发现低温衬垫层来增进湿润特性，并且所述低温衬垫层容许可流动的膜更完整地填充沟槽。

主权项

一种在基板处理腔室中的基板处理区域中的经图案化的基板上形成共形含硅与氮的层的方法，所述方法包含：将无碳含硅与氮的前驱物与自由基‑氮的前驱物混合，其中藉由接触所述自由基‑氮的前驱物而主要地激发所述无碳含硅与氮的前驱物；以及在所述经图案化的基板上沉积具有共形层厚度的共形含硅与氮的层。