[发明专利]单晶半导体材料的制造有效
| 申请号： | 201180019047.7 | 申请日： | 2011-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN102947025A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | U·克拉特;C·施密德;J·哈恩 | 申请（专利权）人： | 施米德硅晶片科技有限责任公司 |
| 主分类号： | B22D27/04 | 分类号： | B22D27/04;C01B33/02;C30B15/00;C30B29/06;C30B35/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 石克虎;林森 |
| 地址： | 德国弗罗*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造单晶半导体材料的方法，其中半导体材料提供为起始材料，将起始材料传送到加热区域，在加热区域中将起始材料供送到半导体材料的熔体中，熔体从加热区域下降和/或升高加热区域，使得在熔体下端形成凝固前沿，沿该凝固前沿半导体材料结晶成期望的结构，其中该起始材料由液态半导体材料制备并以液态形式供给到熔体中。本发明还涉及用于制造单晶半导体材料的装置，包括用作起始材料的液态半导体材料源，用于制造和/或保持半导体材料制熔体的加热器件以及优选的用于控制用作起始材料的液态半导体材料供给到熔体中的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料 制造 | ||
【主权项】：
用于制造单晶半导体材料、特别是单晶硅的方法，包括以下步骤：‑提供半导体材料的起始材料，‑将所述起始材料传送到加热区域中，其中将所述起始材料供给到半导体材料的熔体，‑从加热区域降低熔体或升高加热区域，使得在熔体的下端形成凝固前沿，所述半导体材料沿着该凝固前沿结晶成期望的结构，其中，半导体材料的起始材料以液体形式提供，并以液态供给到所述熔体中。
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