[发明专利]半导体装置

摘要

半导体装置(100)具备：在基板上形成于每个像素的第1导电型的第1薄膜晶体管(105)；以及多个光传感部(200)，各光传感部(200)包含：包含薄膜二极管(202)的受光部；存储由薄膜二极管(202)产生的光电流的电容(206)；第1导电型的第2薄膜晶体管(204)，受光部通过第2薄膜晶体管(204)连接于电容(206)，第1薄膜晶体管和第2薄膜晶体管(105、204)与薄膜二极管(202)具有由同一半导体膜形成的半导体层，第1薄膜晶体管(105)的特性与第2薄膜晶体管(204)的特性不同。由此，能够与各个薄膜晶体管所要求的特性相应地控制像素用的薄膜晶体管和在光传感部使用的薄膜晶体管的特性。

主权项

一种半导体装置，具备具有多个像素的显示区域，上述半导体装置具备：基板；在上述基板上形成于每个像素的第1导电型的第1薄膜晶体管；以及在上述显示区域中形成于上述基板上的、探测光而生成传感信号的多个光传感部，上述多个光传感部各自包含：包含至少1个薄膜二极管的受光部；存储由上述至少1个薄膜二极管产生的光电流的电容；以及第2薄膜晶体管，上述第2薄膜晶体管是配置于上述受光部和上述电容之间的第1导电型的薄膜晶体管，上述受光部通过第2薄膜晶体管连接于上述电容，上述第1薄膜晶体管和第2薄膜晶体管与上述至少1个薄膜二极管具有由同一半导体膜形成的半导体层，上述第1薄膜晶体管和第2薄膜晶体管的半导体层全都包含：源极及漏极区域；以及位于这些区域之间的沟道区域，上述第1薄膜晶体管的特性与上述第2薄膜晶体管的特性不同。