[发明专利]氮化物半导体发光元件及氮化物半导体发光元件的制造方法有效
| 申请号： | 201180019641.6 | 申请日： | 2011-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN102859723A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 笔田麻佑子;山田英司 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体发光元件及氮化物半导体发光元件的制造方法，氮化物半导体发光元件（100）在氮化物半导体活性层（107）上依次包括：第一p型氮化物半导体层（108）、第二p型氮化物半导体层（109）、第三p型氮化物半导体层（110），第一p型氮化物半导体层（108）及第二p型氮化物半导体层（109）分别含有Al，第一p型氮化物半导体层（108）的平均Al组分与第二p型氮化物半导体层（109）的平均Al组分相同，第三p型氮化物半导体层（110）的带隙小于第二p型氮化物半导体层（109）的带隙，第二p型氮化物半导体层（109）的p型杂质浓度及第三p型氮化物半导体层（110）的p型杂质浓度分别低于第一p型氮化物半导体层（108）的p型杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光元件（100），其特征在于，具有：n型氮化物半导体层（105，106）；设置于所述n型氮化物半导体层（105，106）上的氮化物半导体活性层（107）；设置于所述氮化物半导体活性层（107）上的p型氮化物半导体层（108，109，110，111）；所述p型氮化物半导体层（108，109，110，111）从所述氮化物半导体活性层（107）侧依次包括第一p型氮化物半导体层（108）、第二p型氮化物半导体层（109）、第三p型氮化物半导体层（110）；所述第一p型氮化物半导体层（108）及所述第二p型氮化物半导体层（109）分别含有Al；所述第一p型氮化物半导体层（108）的平均Al组分与所述第二p型氮化物半导体层（109）的平均Al组分相同；所述第三p型氮化物半导体层（110）的带隙小于所述第二p型氮化物半导体层（109）的带隙；所述第二p型氮化物半导体层（109）的p型杂质浓度及所述第三p型氮化物半导体层（110）的p型杂质浓度分别低于所述第一p型氮化物半导体层（108）的p型杂质浓度。
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