[发明专利]非易失性存储装置及其制造方法

摘要

一种电阻变化稳定且适合于细微化的电阻变化型的非易失性存储装置，具有：第1布线（101），由势垒金属层（101b）和主层（101a）构成，势垒金属层（101b）覆盖形成于第1层间绝缘层（103a）的布线槽的底面和侧面，主层（101a）填充所述布线槽的内部；第1电极（102），由贵金属构成，并覆盖第1布线（101）的上表面；多个存储单元孔（104），形成于第2层间绝缘层（103b）；电阻变化层（105），形成于存储单元孔（104）内，并与第1电极（102）相接；以及覆盖电阻变化层（105）和存储单元孔（104）的第2布线（106），在存储单元孔（104）附近的区域（101A）中，在第1布线（101）的宽度方向的任意截面中，主层（101a）被势垒金属层（101b）及第1电极（102）覆盖。

主权项

一种电阻变化型非易失性存储装置，其特征在于，该电阻变化型非易失性存储装置具有：基板；第1层间绝缘层，形成于所述基板上；第1布线，由势垒金属层和主层构成，所述势垒金属层形成于所述第1层间绝缘层的布线槽内，并覆盖所述布线槽的底面和侧面，所述主层由金属构成，并填充所述布线槽的内部；第1电极，由贵金属构成，而且形成为至少覆盖所述第1布线的上表面的所述主层和所述势垒金属层；第2层间绝缘层，形成于所述基板、所述第1布线以及所述第1电极上；多个存储单元孔，形成于所述第1电极上的所述第2层间绝缘层；电阻变化层，形成于所述存储单元孔内，并与所述第1电极连接；以及第2布线，形成于所述第2层间绝缘层上，并覆盖所述电阻变化层和所述存储单元孔，所述第1布线沿着所述第1布线的长度方向被划分为包括所述存储单元孔所在的区域以及所述存储单元孔的附近区域的第1区域、和所述第1区域以外的第2区域，所述第1电极跨越所述多个存储单元孔而形成，在所述第1区域的所述第1布线的宽度方向的任意截面中，所述第1电极与所述第1布线的所述势垒金属层相接，而且所述第1布线的所述主层被所述势垒金属层及所述第1电极覆盖。