[发明专利]AB类放大器有效
| 申请号： | 201180019828.6 | 申请日： | 2011-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102893519A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | S·苏塔德加;F·阿拉姆 | 申请（专利权）人： | 马维尔国际贸易有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/26 | 分类号： | H03F3/26 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅;辛鸣 |
| 地址： | 巴巴多斯*** | 国省代码： | 巴巴多斯;BB |
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| 摘要： | 一种AB类放大器，包括：第一电感器(L1)，具有与电压源端子(Vdd)连通的第一端子。第一晶体管(T1)具有与第一电感器(L1)的第二端子连通的漏极端子。第二晶体管(T2)具有与第一晶体管(T2)的源极端子连通的源极端子。第二电感器(L2)具有与第二晶体管(T2)的漏极端子连通的第一端子和与参考电势(Vss)连通的第二端子。第一晶体管(T1)的漏极端子和第二晶体管(T2)的漏极端子电容地耦合(Ccm)在一起。 | ||
| 搜索关键词： | ab 放大器 | ||
【主权项】：
一种AB类放大器，包括：第一电感器，具有与电压源端子连通的第一端子；第一晶体管，具有与所述第一电感器的第二端子连通的漏极端子；第二晶体管，具有与所述第一晶体管的源极端子连通的源极端子；以及第二电感器，具有与所述第二晶体管的漏极端子连通的第一端子和与参考电势连通的第二端子，其中所述第一晶体管的所述漏极端子和所述第二晶体管的漏极端子电容性地耦合在一起。
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