[发明专利]使用远程等离子体源的介电沉积无效
| 申请号： | 201180019997.X | 申请日： | 2011-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102859028A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 拉尔夫·霍夫曼;马耶德·A·福阿德 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/50;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种溅射沉积系统，所述溅射沉积系统包括：真空腔室，所述真空腔室包括用于在所述真空腔室中维持真空的真空泵；进气口，所述进气口用于供应工艺气体到真空腔室；在真空腔室之内的溅射靶材和基板支撑器；和等离子体源，所述等离子体源附着于所述真空腔室且定位于距溅射靶材较远位置，所述等离子体源被配置为形成延伸至真空腔室中的高密度等离子体束。等离子体源可包括矩形截面源腔室、电磁铁和射频线圈，其中矩形截面源腔室和射频线圈被配置为使高密度等离子体束具有细长卵形截面。此外，溅射靶材表面可被设置为非平面形式，以提供均匀等离子体能量沉积至靶材中和/或在基板支撑器上的基板表面处提供均匀溅射沉积。溅射沉积系统可包括用于整形高密度等离子体束的等离子体扩散系统，从而完全且均匀覆盖溅射靶材。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 远程 等离子体 沉积 | ||
【主权项】：
一种溅射沉积系统，所述溅射沉积系统包括：真空腔室，所述真空腔室包括用于在所述真空腔室中维持真空的真空泵；进气口，所述进气口用于供应工艺气体到所述真空腔室；在所述真空腔室之内的溅射靶材；基板支撑器；和等离子体源，所述等离子体源附着于所述真空腔室且定位于距所述溅射靶材较远位置，所述等离子体源被配置为形成延伸至所述真空腔室中的高密度等离子体束，所述等离子体源包括：矩形截面源腔室；电磁铁；和射频线圈；其中所述矩形截面源腔室和所述射频线圈被设置为使所述高密度等离子体束具有细长卵形截面。
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