[发明专利]外延基板以及外延基板的制造方法

摘要

本发明提供一种外延基板，其将硅基板作为基底基板，无裂纹且耐电压性优良。其在作为(111)取向的单晶硅的基底基板之上，以使(0001)结晶面与所述基底基板的基板面大致平行的方式形成有III族氮化物层组，其具有：缓冲层，其具备多个第一层叠单位，该第一层叠单位包括：组分调制层，其交替层叠由A1N构成的第一组分层和由AlxGa1-xN(0≤x＜1)组分的III族氮化物构成的第二组分层而成；第一中间层，其由AlyGa1-yN(0≤y＜1)组分的III族氮化物构成。当将第一组分层和第二组分层的层叠数分别设为n(n为2以上的自然数)，且将从基底基板侧开始第i个第二组分层的x值设为x(i)时，如下：x(1)≥x(2)≥···≥x(n-1)≥x(n)且x(1)＞x(n)，且第二组分层相对于第一组分层呈共格状态，第一中间层相对于组分调制层呈共格状态。

主权项

一种外延基板，在作为(111)取向的单晶硅的基底基板之上，以使(0001)结晶面与所述基底基板的基板面大致平行的方式形成有III族氮化物层组，其特征在于，所述外延基板包括：缓冲层，其具备多个第一层叠单位，结晶层，形成在所述缓冲层上；所述第一层叠单位包括：组分调制层，其通过交替层叠由AlN构成的第一组分层和由AlxGa1‑xN组分的III族氮化物构成的第二组分层而构成，其中x满足0≤x＜1，第一中间层，其由AlyGa1‑yN组分的III族氮化物构成，其中y满足0≤y＜1；各所述组分调制层中，当将所述第一组分层和所述第二组分层的层叠数分别设为n，且将从所述基底基板侧开始的第i个所述第二组分层的x值设为x(i)时，以x(1)≥x(2)≥···≥x(n‑1)≥x(n)且，x(1)＞x(n)的方式形成，且在各所述组分调制层中，各所述第二组分层相对于所述第一组分层形成共格状态；所述第一中间层相对于所述组分调制层形成共格状态；其中所述n为2以上的自然数。