[发明专利]外延基板以及外延基板的制造方法无效
| 申请号： | 201180020720.9 | 申请日： | 2011-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN102859695A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 三好实人;角谷茂明;市村干也;前原宗太;田中光浩 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;C30B29/38;H01L21/205;H01L21/338;H01L29/15;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 杨勇;洪玉姬 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种将硅基板作为基底基板，无裂纹且耐电压性优良的外延基板。将在（111）取向的单晶Si基底基板上，以使（0001）结晶面与基板面大致平行的方式形成III族氮化物层组的外延基板，以如下方式形成。该外延基板具有：缓冲层，其具有多个通过交替层叠由AlN构成的第一组分层和由AlxGa1-xN（0≦x＜1）构成的第二组分层而形成的组分调制层；形成在缓冲层上的结晶层；将第一组分层和第二组分层的层叠数分别设为n，并将从基底基板侧开始的第i个第二组分层的x的值设为x（i）时，以满足x（1）≧x（2）≧···≧x（n-1）≧x（n），且x（1）＞x（n）的方式形成，使得各第二组分层相对于第一组分层形成共格状态。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种外延基板，在作为（111）取向的单晶硅的基底基板上，以使（0001）结晶面与所述基底基板的基板面大致平行的方式形成有III族氮化物层组，其特征在于，所述外延基板具有：缓冲层，其具有多个通过交替层叠第一组分层和第二组分层而形成的组分调制层，其中，所述第一组分层由AlN构成，所述第二组分层由AlxGa1‑xN组分的III族氮化物构成，x满足0≦x＜1;结晶层，其形成在所述缓冲层上；当将所述第一组分层和所述第二组分层的层叠数分别设为n，其中n为2以上的自然数，并将从所述基底基板侧开始的第i个所述第二组分层的x的值设为x（i）时，所述各组分调制层以满足x（1）≧x（2）≧···≥x（n‑1）≧x（n），并且x（1）＞x（n）的方式形成，使得各所述第二组分层相对于所述第一组分层形成共格状态。
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