[发明专利]含硅嵌段共聚合物及其合成和使用方法无效
| 申请号： | 201180020754.8 | 申请日： | 2011-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN102870247A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | C·G·威尔森;C·贝茨;J·斯特拉恩;C·埃利森;B·米勒 | 申请（专利权）人： | 得克萨斯大学体系董事会 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 任永利 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述含硅单体和共聚物的合成。单体三甲基-(2-亚甲基丁-3-烯基)硅烷（TMSI）的合成和随后具有苯乙烯二嵌段共聚物的合成，形成聚苯乙烯-嵌段-聚三甲基甲硅烷基异戊二烯，及合成二嵌段共聚物聚苯乙烯-嵌段-聚甲基丙烯酰氧基甲基三甲基硅烷或PS-b-P(MTMSMA)。这些含硅二嵌段共聚物具有多种用途。一种优选的应用为作为用于光刻法的具有低于100nm的特征的新型压印模板材料。 | ||
| 搜索关键词： | 含硅嵌段共 聚合物 及其 合成 使用方法 | ||
【主权项】：
在表面上形成纳米结构的方法，其包括：a.提供聚苯乙烯‑嵌段‑聚甲基丙烯酰氧基甲基三甲基硅烷共聚物和表面；b.在所述表面上旋涂所述嵌段共聚物以产生涂覆的表面；c.在使得在所述表面上形成纳米结构的条件下处理所述涂覆的表面；和d.蚀刻含有所述纳米结构的涂覆的表面。
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