[发明专利]具有交替选择的相变存储阵列块无效
| 申请号： | 201180021000.4 | 申请日： | 2011-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN102859603A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 潘弘柏 | 申请（专利权）人： | 莫塞德技术公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C7/00;G11C7/12;G11C7/18 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 加拿大*** | 国省代码： | 加拿大;CA |
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| 摘要： | 本发明公开了一种相变存储器。该相变存储器具有多个块单元。所述块单元交替地被选择。交替的块单元选择抑制了子字线和通过子字线驱动器晶体管连接的地线上的峰值电流地弹跳。交替的位线选择避免了所选块单元中的邻近单元热干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 交替 选择 相变 存储 阵列 | ||
【主权项】：
一种设备，包括：多个邻近的相变存储器（PCM）单元；其中，用于访问的存储位置包括所述PCM单元的子集，使得所述子集中的每个PCM单元与所述子集中的每个其他PCM单元不邻近。
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