[发明专利]温度传感器元件、用于制造温度传感器元件的方法和温度传感器有效
申请号: | 201180021071.4 | 申请日: | 2011-04-27 |
公开(公告)号: | CN102939519A | 公开(公告)日: | 2013-02-20 |
发明(设计)人: | 堀恒円;葛冈馨;小川千明;佐藤元树;山田胜则;小林孝雄 | 申请(专利权)人: | 株式会社电装 |
主分类号: | G01K7/22 | 分类号: | G01K7/22;H01C7/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 张伟;王英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种温度感测元件包括由Si基陶瓷构成的热敏电阻器,以及被接合到所述热敏电阻器的表面上的金属电极对。该金属电极包括Cr和具有高于Cr的Si扩散系数的Si扩散系数的金属元素α。在该热敏电阻和该金属电极对之间的接合界面中形成扩散层,该扩散层包括在Si基陶瓷的晶粒边界中的金属元素α的硅化物。提供了包括该扩散层的温度传感器。由于该扩散层,该温度传感器确保了耐热性和接合可靠性,并且使能在特别是从-50℃到1050℃的温度范围中具有高精度的温度检测。 | ||
搜索关键词: | 温度传感器 元件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种温度感测元件,包括热敏电阻器,所述热敏电阻器具有随着温度而变化的电气特性;以及金属电极对,所述金属电极对被接合到所述热敏电阻器的表面上,其特征在于:所述热敏电阻器由Si基陶瓷构成;所述金属电极对包括Cr和金属元素α,所述金属元素α具有比Cr的Si扩散系数高的Si扩散系数;以及扩散层,所述扩散层形成在所述热敏电阻器与所述金属电极对之间的界面中,在所述扩散层中,构成所述热敏电阻器的所述Si基陶瓷的晶粒边界中存在所述金属元素α的硅化物。
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