[发明专利]真空处理装置、基板和对位掩模的移动方法以及对位方法及成膜方法有效
申请号: | 201180021220.7 | 申请日: | 2011-04-19 |
公开(公告)号: | CN102859031A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 加藤裕子;菊池正志;龟崎厚治;冈山智彦;下田圭介 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | C23C16/04 | 分类号: | C23C16/04;H01L51/50;H05B33/10;C23C16/42 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李婷;杨楷 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种即便不将真空槽内曝露于大气也能够更换对位掩模的真空处理装置。在气体导入装置(12)的下方配置插入有基板升降销(46)、在上下方向中比基板升降销(46)还长的掩模升降销(45)的板(23),在板(23的下方配置有构成为在令与板(23)之间接近至第一距离以下时分别铅直地载置掩模升降销(45)和基板升降销(46)的销支承部件(24)。掩模升降销(45)和基板升降销(46)上设置卡止部件(47),当令板(23)和销支承部件(24)之间为比第一距离还分离的第二距离以上时,令掩模升降销(45)和基板升降销(46)在销支承部件(24)上方从销支承部件(24)离开而被板(23)悬吊。 | ||
搜索关键词: | 真空 处理 装置 对位 移动 方法 以及 | ||
【主权项】:
一种真空处理装置,具有:真空槽;板,设置基板;掩模升降销,构成为,插入到形成在上述板中的掩模升降用贯通孔中,能够在上端配置对位掩模;基板升降销,构成为,插入到形成在上述板中的基板升降用贯通孔中,能够在上端配置基板;销支承部件,配置在上述板的下方位置,能够相对于上述板上下地相对移动,上述掩模升降销形成为上下方向上比上述基板升降销长,若令上述板的朝向下方的面与悬吊于上述板的上述基板升降销的下端之间的距离为第一距离、令上述板的朝向下方的面与悬吊于上述板的上述掩模升降销的下端之间的距离为第二距离,则在上述板的朝向下方的面与上述销支承部件的朝向上方的面之间小于上述第一距离时,上述掩模升降销和上述基板升降销被上述销支承部件支承,在上述板的朝向下方的面与上述销支承部件的朝向上方的面之间大于上述第一距离且小于上述第二距离时,上述掩模升降销被上述销支承部件支承,上述基板升降销悬吊于上述板,在上述板的朝向下方的面与上述销支承部件的朝向上方的面之间大于上述第二距离时,上述掩模升降销与上述基板升降销悬吊于上述板。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的