[发明专利]背面接触光伏电池的制造方法以及由该方法制造的背面接触光伏电池

摘要

一种用于从第一导电类型的硅半导体衬底制造太阳能电池的方法，所述衬底具有正面和背面；所述方法包括：在背面上生成第一导电类型的掺杂层，作为背面掺杂层，作为太阳能电池中的背面场；在正面上生成第二导电类型的掺杂层，作为正面掺杂层，作为太阳能电池中的发射极层，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；其中，所述方法还包括：在背面中生成凹陷，以形成第一导电类型的背面掺杂层的构图，以便生成背面场区，所述凹陷没有背面掺杂层材料，以及在衬底中生成通孔，每一通孔都位于相关的凹陷内。

主权项

一种用于制造太阳能电池的方法，包括提供第一导电类型的硅半导体衬底，所述衬底具有正面和背面；所述方法包括：‑在所述背面上生成所述硅半导体衬底中的所述第一导电类型的掺杂层，作为背面掺杂层，以用作所述太阳能电池中的背面场层；‑在所述正面上生成第二导电类型的掺杂层，作为正面掺杂层，以用作所述太阳能电池中的发射极层，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；其中，所述方法还包括：通过在凹陷位置处去除所述硅半导体衬底中的所述背面掺杂层，在所述背面中生成所述凹陷，以构图所述第一导电类型的背面掺杂场层，从而生成背面场区，所述凹陷没有背面掺杂层材料，并且所述凹陷的深度至少等于或大于所述背面掺杂层的厚度，以及在所述衬底中生成通孔，每一通孔都位于相关的凹陷内。