[发明专利]太阳能电池用的多晶硅锭的高输出制造设备有效
申请号: | 201180021330.3 | 申请日: | 2011-04-05 |
公开(公告)号: | CN102934239A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 文相珍;苏源郁;具明会;朴东淳 | 申请(专利权)人: | 韩国化学研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/042 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 梁兴龙;武玉琴 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及太阳能电池用的多晶硅锭的高输出制造设备,更具体地说,涉及通过在真空腔室中使原料硅加热和熔融、然后使熔融硅冷却来制造多晶硅锭的设备,其中,该设备包括:多个坩埚,该多个坩埚在该真空腔室中彼此分开地水平排列,每个坩埚都装有原料硅以制造多晶硅锭;加热装置,该加热装置设置在各个坩埚的外部以便对各个坩埚加热并使其中装有的原料硅熔融;以及冷却装置,该冷却装置使该坩埚冷却,从而能够使通过该加热装置熔融的硅单向冷却并形成多晶锭。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 多晶 输出 制造 设备 | ||
【主权项】:
一种通过在真空腔室内部使装入坩埚的原料硅加热、熔融和冷却来制造太阳能电池用的多晶硅锭的高输出制造设备,所述设备包括:多个坩埚,所述多个坩埚在所述真空腔室中彼此分开地水平排列,每个坩埚都装有原料硅以制造多晶硅锭;加热系统,所述加热系统设置在各个坩埚的外部并且对各个坩埚加热以使其中的原料硅熔融;以及冷却装置,所述冷却装置使所述坩埚冷却,从而使通过所述加热系统熔融的硅冷却并生长成多晶锭。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的