[发明专利]用于在芯片级封装占用面积内将宽总线存储器及串行存储器附接到处理器的方法有效

专利信息
申请号: 201180021433.X 申请日: 2011-05-09
公开(公告)号: CN102859686A 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 库尔特·瓦赫特勒;玛格丽特·罗丝·西蒙斯-马修斯 申请(专利权)人: 德州仪器公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/12
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王璐
地址: 美国德*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及一种半导体装置(10),其包括具有第一存储器类型的第一存储器裸片(12)、具有不同于所述第一存储器类型的第二存储器类型的第二存储器裸片(14)及例如微处理器的逻辑裸片(16)。所述第一存储器裸片(12)可使用对于所述第一存储器类型优选的第一类型的电连接而电连接到所述逻辑裸片(16)。所述第二存储器裸片(14)可使用对于所述第二存储器类型优选的不同于所述第一类型的电连接的第二类型的电连接而电连接到所述逻辑裸片。其它装置可包括相同类型的裸片,或两个或两个以上第一类型的裸片,及两个或两个以上不同于所述第一类型的第二类型的裸片。
搜索关键词: 用于 芯片级 封装 占用 面积 内将宽 总线 存储器 串行 接到 处理器 方法
【主权项】:
一种半导体装置,其包含:第一衬底,其包括其上具有电路布线的前表面及包括电连接到所述电路布线的多个导电垫的后表面;第一半导体裸片,其电连接到所述多个导电垫且附接到所述第一衬底;第二衬底,其包括其上具有电路布线及多个导电垫的前表面,其中所述第二衬底的所述前表面上的所述电路布线电连接到所述第二衬底的所述前表面上的所述多个导电垫;第二半导体裸片,其电连接且附接到所述第二衬底且包括其中的多个穿衬底通孔TSV:第三半导体裸片,其通过所述TSV电连接到所述第二半导体裸片且附接到所述第二半导体裸片;及多个导体,其将所述第一衬底的所述后表面上的所述多个导电垫电连接到所述第二衬底的所述前表面上的所述多个导电垫;第一连接类型,其将所述第一半导体裸片电连接到所述第二半导体裸片;及第二连接类型,其将所述第三半导体裸片电连接到所述第二半导体裸片;其中所述第一连接类型不同于所述第二连接类型。
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