[发明专利]具有能带结构电位波动的高效紫外发光二极管有效
| 申请号： | 201180021530.9 | 申请日： | 2011-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN103003961A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 廖翊韬;T·D·穆斯塔克斯 | 申请（专利权）人： | 波士顿大学理事会 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/30 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种生长AlGaN半导体材料的方法利用高于通常使用的化学计量量的过量的Ga。过量Ga导致能带结构电位波动的形成，提高了辐射性再结合的效率，并增大了使用该方法制成的光电器件，尤其是紫外发光二极管的光生成。还提供了UV LED设计和性能的若干改进，以与过量Ga生长方法一起使用。以该方法制成的器件可以用于水净化、表面消毒、通信、数据存储和取回。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 能带 结构 电位 波动 高效 紫外 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种制造紫外发光二极管的方法，在所述LED的有源区中具有能带结构电位波动，所述方法包括使用过量的镓来生长第一AlGaN量子阱层的步骤。
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