[发明专利]石墨烯的空穴掺杂有效
申请号: | 201180022146.0 | 申请日: | 2011-05-05 |
公开(公告)号: | CN103026490A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 陈伟;陈振宇;黄载贤;谢兰飞;王骁;孙家涛;阿里安多 | 申请(专利权)人: | 新加坡国立大学 |
主分类号: | H01L29/00 | 分类号: | H01L29/00;C01B31/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 顾晋伟;董文国 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | 一种制品,包括具有第一功函数的石墨烯层;和设置设置在石墨烯层上的金属氧化物膜,所述金属氧化物膜具有大于第一功函数的第二功函数。电子从石墨烯层转移到金属氧化物膜,在石墨烯层中形成空穴累积层。 | ||
搜索关键词: | 石墨 空穴 掺杂 | ||
【主权项】:
一种制品,包括:具有第一功函数的石墨烯层;以及设置在所述石墨烯层上的金属氧化物膜,所述金属氧化物膜具有大于所述第一功函数的第二功函数,从而电子从所述石墨烯层转移到所述金属氧化物膜,在所述石墨烯层中形成空穴累积层。
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