[发明专利]薄膜晶体管、接触结构、基板、显示装置和它们的制造方法有效
| 申请号： | 201180022718.5 | 申请日： | 2011-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN102884632A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 中泽淳 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在基板（3）上设置的TFT（17）。TFT（17）具备栅极电极（31）、栅极绝缘膜（32）、半导体（33）、源极电极（34）、漏极电极（35）和保护膜（36）。半导体（33）包含金属氧化物半导体，具有与源极电极（34）连接的源极部（33a）、与漏极电极（35）连接的漏极部（33b）、从源极电极（34）和漏极电极（35）露出的沟道部（33c）。在源极部（33a）和漏极部（33b）分别形成有电阻相对较小的导电层（37）。沟道部（33c）中导电层（37）被除去。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 接触 结构 基板 显示装置 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于：设置在基板上，所述薄膜晶体管包括：栅极电极；栅极绝缘膜，其覆盖所述栅极电极；半导体，其与所述栅极电极隔着所述栅极绝缘膜相对配置；经所述半导体被连接的源极电极和漏极电极；和保护膜，其覆盖所述半导体、所述源极电极和所述漏极电极，所述半导体包含金属氧化物半导体，所述半导体具有：源极部，其上表面与所述源极电极相接；漏极部，其在与所述源极电极分开的上表面与所述漏极电极相接；和沟道部，其上表面在所述源极部与所述漏极部之间从所述源极部和所述漏极部露出，在所述源极部和所述漏极部的各自的上表面部分，形成有电阻相对较小的导电层，所述沟道部的上表面部分的所述导电层被除去。
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