[发明专利]整合连接层的光电活性的、基于硫属元素的薄膜结构有效
| 申请号： | 201180022880.7 | 申请日： | 2011-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN102893370A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | J·E·格比 | 申请（专利权）人： | 陶氏环球技术有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/36 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了改进的含硫属元素的光伏结构及相关组成、整合了这些结构的光伏器件、制备这些结构和器件的方法以及使用这些结构和器件的方法。根据本发明的原理，通过使用含硫属元素连接层提高了PACB组合物的粘附性。 | ||
| 搜索关键词： | 整合 连接 光电 活性 基于 元素 薄膜 结构 | ||
【主权项】：
制备含硫属元素的光吸收结构的方法，其包括以下步骤：(a)形成包含至少铜、铟和至少一种硫属元素的第一光敏薄膜；和(b)在所述第一薄膜上直接或间接地形成第二光敏薄膜或其前体，所述薄膜包含至少铜和铟；和(c)在有效地形成晶体PACB组合物的条件下使至少所述第一薄膜经受退火和/或硫属元素化处理，其中所述处理步骤发生在第二光敏薄膜或其前体形成之前、形成过程中和/或形成之后。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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