[发明专利]等离激元传感器及其使用方法和制造方法有效
| 申请号： | 201180023132.0 | 申请日： | 2011-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN102884415A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 田村昌也;加贺田博司;冈弘章;福岛奖 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G01N21/27 | 分类号： | G01N21/27 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离激元传感器及其使用方法和制造方法。等离激元传感器包括第1金属层和第2金属层。第1金属层具有下表面和构成为被供给电磁波的上表面。第2金属层具有与第1金属层的下表面对置的上表面。在第1金属层与第2金属层之间设置构成为被含有介质的试样填充的中空区域。在第1金属层的下方和第2金属层的上方中的至少一方物理吸附有多个分析物捕获体。 | ||
| 搜索关键词： | 离激元 传感器 及其 使用方法 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种等离激元传感器，具备：第1金属层，其具有构成为被供给电磁波的上表面和下表面；和第2金属层，其具有与上述第1金属层的上述下表面对置的上表面，在上述第1金属层与上述第2金属层之间设置构成为被含有介质的试样填充的中空区域，在上述第1金属层的下方和上述第2金属层的上方中的至少一方物理吸附了多个分析物捕获体。
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