[发明专利]包括含分散的具有不同折射指数的区域的物体的抗反射层的光生伏打装置无效
申请号: | 201180023799.0 | 申请日: | 2011-03-23 |
公开(公告)号: | CN102959716A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | V·高迪;M·卢阿恩;F·汝热 | 申请(专利权)人: | 保利瑞斯公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/048;C03C17/00;C08F292/00;C08L51/10;C09D7/12;G02B1/11;C23C18/12 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 王凤桐;周建秋 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及光生伏打装置,所述装置包含:当经受电磁辐射时能确保光生伏打效应的半导体材料;对于所述电磁辐射可穿透以确保光生伏打效应的抗反射层,该抗反射层含有在分散状态下尺寸小于5微米优选小于2微米的物体,所述物体包含至少两个由两种不同的基材组成的区域,所述基材对于所述电磁辐射可穿透并且具有不同的折射指数,即:(i)具有第一折射指数nC的核;和(ii)具有第二折射指数nE的围绕所述核的层,所谓的外壳,所述第二折射指数nE不同于核的折射指数nC,核的尺寸与核/外壳组件的尺寸的比率为1:1.5至1:5之间。 | ||
搜索关键词: | 包括 分散 具有 不同 折射 指数 区域 物体 反射层 光生伏打 装置 | ||
【主权项】:
一种光生伏打装置,所述装置包含:—当经受电磁辐射时能确保光生伏打效应的半导体材料;—对于所述电磁辐射可穿透以确保光生伏打效应的抗反射层,该抗反射层含有在分散状态下尺寸小于5微米优选小于2微米的物体,所述物体包含至少两个由两种不同的基材组成的区域,所述基材对于所述电磁辐射可穿透并且具有不同的折射指数,即:—具有第一折射指数nC的核;和—具有第二折射指数nE的围绕所述核的层,所谓的外壳,所述第二折射指数nE不同于核的折射指数nC,核的尺寸与核/外壳组件的尺寸的比率为1:1.5至1:5之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于保利瑞斯公司,未经保利瑞斯公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180023799.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电子内窥镜及内窥镜系统
- 下一篇:辊和避免其振动的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的