[发明专利]包括含分散的具有不同折射指数的区域的物体的抗反射层的光生伏打装置无效

专利信息
申请号: 201180023799.0 申请日: 2011-03-23
公开(公告)号: CN102959716A 公开(公告)日: 2013-03-06
发明(设计)人: V·高迪;M·卢阿恩;F·汝热 申请(专利权)人: 保利瑞斯公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/048;C03C17/00;C08F292/00;C08L51/10;C09D7/12;G02B1/11;C23C18/12
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 王凤桐;周建秋
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 发明涉及光生伏打装置,所述装置包含:当经受电磁辐射时能确保光生伏打效应的半导体材料;对于所述电磁辐射可穿透以确保光生伏打效应的抗反射层,该抗反射层含有在分散状态下尺寸小于5微米优选小于2微米的物体,所述物体包含至少两个由两种不同的基材组成的区域,所述基材对于所述电磁辐射可穿透并且具有不同的折射指数,即:(i)具有第一折射指数nC的核;和(ii)具有第二折射指数nE的围绕所述核的层,所谓的外壳,所述第二折射指数nE不同于核的折射指数nC,核的尺寸与核/外壳组件的尺寸的比率为1:1.5至1:5之间。
搜索关键词: 包括 分散 具有 不同 折射 指数 区域 物体 反射层 光生伏打 装置
【主权项】:
一种光生伏打装置,所述装置包含:—当经受电磁辐射时能确保光生伏打效应的半导体材料;—对于所述电磁辐射可穿透以确保光生伏打效应的抗反射层,该抗反射层含有在分散状态下尺寸小于5微米优选小于2微米的物体,所述物体包含至少两个由两种不同的基材组成的区域,所述基材对于所述电磁辐射可穿透并且具有不同的折射指数,即:—具有第一折射指数nC的核;和—具有第二折射指数nE的围绕所述核的层,所谓的外壳,所述第二折射指数nE不同于核的折射指数nC,核的尺寸与核/外壳组件的尺寸的比率为1:1.5至1:5之间。
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