[发明专利]使用离子植入修改衬底图案特征的方法及系统在审
| 申请号： | 201180023911.0 | 申请日： | 2011-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN103003914A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 卢多维克·葛特;派崔克·M·马汀;提摩太·J·米勒;维克拉姆·辛 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;G03F7/40;C23C14/48;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明;张洋 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种处理光刻胶特征的方法，包括在制程腔室(302)中定位具有一组图案化光刻胶特征(114a)的衬底(112)，此图案化光刻胶特征在衬底的第一面上；在具有等离子体鞘(308b)的制程腔室中邻近于衬底的第一面产生等离子体(306)。此方法可以还包含以等离子体鞘修改器(312)修改介于等离子体(306)和等离子体鞘(308b)之间的边界的形状，使得部分边界的形状不平行于由面对等离子体的衬底(112)的前表面所定义的平面，其中来自等离子体的离子(310)于第一曝露时以广角度范围撞击到图案化光刻胶特征(114a)上。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 离子 植入 修改 衬底 图案 特征 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种处理光刻胶特征的方法，包括：在制程腔室中产生等离子体，所述制程腔室具有等离子体鞘，所述等离子体鞘邻近于衬底的第一表面，所述衬底的所述第一表面面对所述等离子体鞘；以及以等离子体鞘修改器修改所述等离子体和所述等离子体鞘之间定义的边界的形状，其中部分的所述边界的形状不平行于由所述衬底的所述第一表面定义的平面，其中来自所述等离子体的离子相对于所述平面以一个角度范围撞击所述衬底的表面。
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