[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201180024131.8 | 申请日： | 2011-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN102893403A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;佐佐木俊成;野田耕生 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/136;G09F9/30;H01L21/336;H01L21/363;H01L51/50;H05B33/02;H05B33/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的之一是提供一种包括氧化物半导体的半导体装置，其具有稳定的电特性和高可靠性。通过在超过200℃的温度下利用溅射法形成用作晶体管的沟道形成区的氧化物半导体膜，使根据热脱附谱分析法从所述氧化物半导体膜脱离的水分子的数量为0.5个/nm3以下。通过防止会成为包括氧化物半导体膜的晶体管的电特性变动原因的水、氢、羟基或氢化物等的包含氢原子的物质混入到氧化物半导体膜中，可以使氧化物半导体膜高纯度化并成为电特性i型（本征）化半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：晶体管的沟道形成区中的氧化物半导体膜，其中，根据热脱附谱分析法从所述氧化物半导体膜脱离的水分子的数量为0.5/nm3以下。
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