[发明专利]信号发送-接收控制电路和蓄电池保护电路无效
申请号: | 201180024685.8 | 申请日: | 2011-03-14 |
公开(公告)号: | CN102906960A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 大岛将史 | 申请(专利权)人: | 株式会社理光 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00;H02J7/02;H03K19/0185 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 安之斐 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种信号发送-接收电路,包括第一电路,所述第一电路包括具有栅极和漏极的第一MOS晶体管、具有连接到所述第一MOS晶体管的栅极和漏极的栅极和漏极、和连接到地的源极的第二MOS晶体管,以及连接到所述第一和第二MOS晶体管的漏极的、发送信号的发送端;以及第二电路,包括连接到所述发送端的、接收从所述第一电路的发送端发送的信号的接收端,具有连接到所述接收端的栅极、连接到参考电压发生器电路的漏极和连接到地的源极的第三MOS晶体管,连接在所述第三MOS晶体管和所述参考电压发生器电路之间的电阻器,以及连接在所述电阻器和所述第三MOS晶体管之间的输出端。 | ||
搜索关键词: | 信号 发送 接收 控制电路 蓄电池 保护 电路 | ||
【主权项】:
一种信号发送接收电路,包括:第一电路,包括第一MOS晶体管,具有栅极和漏极,并且经配置来由供给到其栅极的低信号导通,第二MOS晶体管,具有连接到所述第一MOS晶体管的栅极的栅极、连接到所述第一MOS晶体管的漏极的漏极和连接到地的源极,并且经配置来由供给到其栅极的高信号导通,以及发送端,连接到所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管的各自的漏极,并且经配置来发送信号;以及第二电路,包括接收端,连接到所述第一电路的所述发送端,并且经配置来接收从其所述发送端发送的信号,第三MOS晶体管,具有连接到所述接收端的栅极、连接到参考电压发生器电路的漏极和连接到地的源极,电阻器,连接在所述第三MOS晶体管和所述参考电压发生器电路之间,以及输出端,连接在所述电阻器和所述第三MOS晶体管之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社理光,未经株式会社理光许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180024685.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。