[发明专利]电阻可变存储器单元结构及方法有效
| 申请号： | 201180025186.0 | 申请日： | 2011-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN102934229A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 尤金·P·马什;蒂莫西·A·奎克 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文中描述电阻可变存储器单元结构及方法。一个或一个以上电阻可变存储器单元结构包括：第一电极，其为第一与第二电阻可变存储器单元所共用；第一垂直定向的电阻可变材料，其具有与第二电极接触的拱形顶部表面及与所述第一电极接触的非拱形底部表面；及第二垂直定向的电阻可变材料，其具有与第三电极接触的拱形顶部表面及与所述第一电极接触的非拱形底部表面。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 可变 存储器 单元 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种形成存储器单元的方法，其包含：在第一电极及通孔的壁上形成电阻可变存储器单元材料；在所述电阻可变存储器单元材料上形成第一电介质材料；移除所述第一电介质材料的一部分以使得所述电阻可变存储器单元材料的一部分被暴露；及在所述电阻可变存储器单元材料的第一经暴露部分上形成第二电极，且在所述电阻可变存储器单元材料的第二经暴露部分上形成第三电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
