[发明专利]用于防止气体混合的大面积沉积装置无效
申请号: | 201180025477.X | 申请日: | 2011-05-26 |
公开(公告)号: | CN102906861A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 李庆镐 | 申请(专利权)人: | 泰拉半导体株式会社 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了一种用于防止气体混合的大面积沉积装置。本发明涉及的用于防止气体混合的大面积沉积装置使用了多重管结构的喷嘴,将每种气体供给到不同的喷嘴,因此气体从腔室喷出时,均匀混合之后,向腔室内部均匀喷出。即,能够利用简单结构来防止气体在流入腔室内部之前混合,而且使气体均匀混合之后向腔室内部均匀喷射,从而具有降低成本的效果。此外,喷嘴左右振动的同时喷射气体,因此气体更加均匀地混合之后向腔室内部的基板更加均匀地喷出,从而提高在基板上沉积的膜的品质。而且,可以分别拆卸各喷嘴进行维修或清洗,从而具有易于进行维护作业的效果。 | ||
搜索关键词: | 用于 防止 气体 混合 大面积 沉积 装置 | ||
【主权项】:
一种用于防止气体混合的大面积沉积装置,其特征在于,包括:腔室,提供向基板沉积规定物质所需的沉积空间;多个供给口,设在所述腔室的一侧,并向所述腔室内部供给气体;多个供给管,配置在所述腔室内部,并连接于各所述供给口;以及多个喷嘴,配置在投放于所述腔室内的所述基板的上方,沿各所述供给管连接,且彼此交替配置,从而向所述基板的上表面交替喷射不同的气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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