[发明专利]锂离子二次电池负极材料用粉末及其制造方法无效
| 申请号： | 201180025625.8 | 申请日： | 2011-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN102906908A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 菅野英明;下崎新二;竹村和夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社大阪钛技术 |
| 主分类号： | H01M4/48 | 分类号： | H01M4/48;C01B33/02;C01B33/113;H01M4/36 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张宝荣 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种特征在于在低级氧化硅粉末的表面上具有富含硅层的锂离子二次电池负极材料用粉末，以及提供一种包含氧化硅粉末，且特征在于当将所述氧化硅粉末的表面的氧和硅的mol比的值设为c且整体的氧和硅的mol比的值设为d时，c/d＜1的锂离子二次电池负极材料用粉末。优选满足c＜1及0.8＜d＜1.0中的至少一个条件。另外，优选粉末的表面不具有硅性的结晶性，粉末的内部为非晶质，以及在表面上具有导电性碳皮膜。使用SiClx(x＜4)的歧化反应来进行向锂离子二次电池负极材料用粉末的表面上的硅的被覆。由此，能够提供用于可逆容量大且不可逆容量小的锂离子二次电池中的锂离子二次电池负极材料用粉末及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 锂离子 二次 电池 负极 材料 粉末 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种锂离子二次电池负极材料用粉末，其特征在于，在低级氧化硅粉末的表面上具有富含硅层。
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