[发明专利]等离子体蚀刻方法

摘要

本发明提供一种可防止弯曲形状而形成表面平滑的锥形的蚀刻结构（孔或槽）的等离子体蚀刻方法。实施第一步骤，即，使用氟系气体及氮气，使该些气体同时等离子体化，并且一面藉由等离子体化的氮气而在硅基板K形成抗蚀刻层，一面藉由等离子体化的氟系气体而对硅基板K进行蚀刻，之后，实施第二步骤，即，使用氟系气体及氧系气体，使该些气体同时等离子体化，并且一面藉由等离子体化的氧系气体而在硅基板K形成抗蚀刻层，一面藉由等离子体化的氟系气体对硅基板K进行蚀刻，从而在硅基板K形成上部开口宽度较宽且底部宽度较窄的锥形的蚀刻结构H（孔或槽）。

主权项

一种等离子体蚀刻方法，其特征在于：使处理气体等离子体化对硅基板进行蚀刻，而在该硅基板上形成上部开口宽度较宽且底部宽度较窄的锥形的蚀刻结构者，且，使用氟系气体及氮气作为所述处理气体，使该些气体等离子体化，并且一面藉由等离子体化的氮气在所述硅基板形成抗蚀刻层，一面藉由等离子体化的氟系气体对所述硅基板进行蚀刻。