[发明专利]GaN边缘发射激光器中增强的平面性

摘要

本发明提供了一种GaN边缘发射激光器，它包含半极性GaN衬底、有源区、N侧波导层、P侧波导层、N型包覆层和P型包覆层。GaN衬底限定了晶体生长面和滑移面。N侧和P侧波导层包含GaInN/GaN或GaInN/GaInN超晶格（SL）波导层。N侧和P侧SL波导层的超晶格层限定了针对波导平面性进行优化的相应层厚度，所述层厚度在约1nm与约5nm之间。根据本发明的另一实施方式，通过确保N侧和P侧GaN基波导层以超过约0.09nm/s的生长速率生长来促进平面化，而不管N侧和P侧GaN基波导层被设置为GaInN/GaN或GaInN/GaInN SL波导层还是本体波导层。在其他一些实施方式中，可通过选择最佳SL层厚度和生长速率来促进平面化。本发明还描述了其他的实施方式，并要求专利保护。

主权项

1.一种GaN边缘发射激光器，它包含半极性GaN衬底、有源区、N侧波导层、P侧波导层、N型包覆层和P型包覆层，其中：所述GaN衬底限定了晶体生长面和滑移面；所述N侧波导层包含GaInN/GaN或GaInN/GaInN超晶格（SL）波导层；所述P侧波导层包含GaInN/GaN或GaInN/GaInN超晶格（SL）波导层；所述N侧和P侧SL波导层的超晶格层限定了针对波导平面性进行优化的相应层厚度，所述层厚度在约1nm与约5nm之间；所述有源区介于N侧SL波导层与P侧SL波导层之间，并基本上平行于这两个层延伸；所述N型包覆层介于N侧波导层与GaN衬底之间；所述P型包覆层在P侧波导层上形成；以及所述N侧SL波导层的应变-厚度积超过其应变弛豫临界值，且所述N型包覆层的应变-厚度积超过其应变弛豫临界值，使得所得应变弛豫在沿着GaN衬底的滑移面的单向上。