[发明专利]具有偏离有源区的错配位错的GaN基激光二极管有效
| 申请号： | 201180026342.5 | 申请日： | 2011-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN103026561A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | R·巴特;D·兹佐夫 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种GaN基边缘发射激光器，它包含半极性GaN衬底10、有源区20、N侧波导层30、P侧波导层40、N型包覆层50和P型包覆层60。GaN衬底的特征是穿透位错密度约为1x106/cm2。N侧波导层的应变-厚度积超过其应变弛豫临界值。此外，对于在弛豫的N侧波导层30上的生长，所计算的有源区20的累计应变-厚度积小于其应变弛豫临界值。结果，N型包覆层50与N侧波导层30之间的N侧界面70包含一组N侧错配位错75，而P型包覆层60与P侧波导层40之间的P侧界面80包含一组P侧错配位错85。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 偏离 有源 错配位错 gan 激光二极管 | ||
【主权项】：
一种GaN基边缘发射激光器，它包含半极性GaN衬底、有源区、N侧波导层、P侧波导层、N型包覆层和P型包覆层，其中：GaN衬底的特征是穿透位错密度约为1x106/cm2；有源区介于N侧波导层与P侧波导层之间，并基本上平行于这两个层延伸；N型包覆层介于N侧波导层与GaN衬底之间；P型包覆层在P侧波导层上形成；N侧波导层的应变‑厚度积超过其应变弛豫临界值；对于在弛豫的N侧波导层上的生长，所计算的有源区的累计应变‑厚度积小于其应变弛豫临界值；N型包覆层与N侧波导层之间的N侧界面包含一组N侧错配位错；以及P型包覆层与P侧波导层之间的P侧界面包含一组P侧错配位错。
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