[发明专利]CIGS型太阳能电池和CIGS型太阳能电池用基板无效
申请号: | 201180026770.8 | 申请日: | 2011-05-31 |
公开(公告)号: | CN102918652A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 光井彰;冈东健;小高秀文;川本泰 | 申请(专利权)人: | 旭硝子株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯莉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的是提供一种具有耐久性、以一般的构成能够向CIGS层供给碱金属的CIGS型太阳能电池。一种太阳能电池,其特征在于,该电池是具有绝缘性支撑基板、设置在所述绝缘性支撑基板上的背面电极层、设置在所述背面电极层上的CIGS层、设置在所述CIGS层上的缓冲层和设置在所述缓冲层上的透明表面电极层的CIGS型太阳能电池,在所述绝缘性支撑基板与所述背面电极层之间、或所述背面电极层与所述CIGS层之间、或同时在所述绝缘性支撑基板与所述背面电极层之间以及所述背面电极层与所述CIGS层之间,还具有碱金属供给层,该碱金属供给层含有选自NaNbO3化合物、KNbO3化合物和LiNbO3化合物的一种以上的化合物。 | ||
搜索关键词: | cigs 太阳能电池 用基板 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,其特征在于,所述电池是具有绝缘性支撑基板、设置在所述绝缘性支撑基板上的背面电极层、设置在所述背面电极层上的CIGS层、设置在所述CIGS层上的缓冲层和设置在所述缓冲层上的透明表面电极层的CIGS型太阳能电池,在所述绝缘性支撑基板与所述背面电极层之间、或所述背面电极层与所述CIGS层之间、或同时在所述绝缘性支撑基板与所述背面电极层之间以及所述背面电极层与所述CIGS层之间,还具有碱金属供给层,该碱金属供给层含有选自NaNbO3化合物和KNbO3化合物的一种以上的化合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的