[发明专利]具有软错误翻转免疫性的存储器元件

摘要

本发明提供了带有存储器单元的集成电路。存储器单元可以具有连接成环形配置的四个类似反相器电路和四个相应的存储节点。四个类似反相器电路可以形成该存储器单元的存储部分。在上拉和下拉路径中，某些类似反相器电路可以具有三态晶体管。该三态晶体管可以由地址信号控制。地址和存取晶体管可以耦合在某些存储节点和数据线之间。该地址和存取晶体管可以用来读取和写入存储器单元。在写操作期间，可以使地址信号有效以关断三态晶体管和消除单元的竞争电流。在读和正常操作期间，可以使该地址信号无效以允许该类似反相器电路保持所述单元的当前状态同时提供软错误翻转免疫性。

主权项

一种可操作在读和写模式中的存储器元件，包括：至少第一和第二晶体管对，所述第一和第二晶体管对互相连接以形成具有至少第一和第二数据存储节点的双稳态元件，每个数据存储节点耦合在所述第一和第二晶体管对中相应的一个中的第一晶体管和第二晶体管之间；给定的晶体管，所述给定的晶体管与所述第一和第二晶体管对中给定的一对中的所述第一晶体管和所述第二晶体管串联连接；和存取电路，其中在所述写模式期间，使能所述存取电路以将数据写入所述存储器元件中，并且其中在所述读模式期间，停用所述存取电路。