[发明专利]蓄电装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201180026957.8 | 申请日： | 2011-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN102906907A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 村上智史;栗城和贵;汤川干央 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01M4/134 | 分类号： | H01M4/134;H01G11/24;H01G11/30;H01M4/1395;H01M4/04;H01M4/66 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杨美灵;朱海煜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高放电容量等能够提高性能（如更高放电容量）且不容易发生因活性物质层的剥落等导致的劣化的蓄电装置及其制造方法。蓄电装置包括：集电体；形成在集电体上的混合层；形成在混合层上且用作活性物质层的晶体硅层。晶体硅层包括晶体硅区域、具有突出在晶体硅区域上的多个突起物的须状的晶体硅区域。须状的晶体硅区域包括具有弯曲或分支的部分的突起物。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种蓄电装置，包括：集电体；在所述集电体上的包含硅和金属元素的混合层；以及在所述混合层上的用作活性物质层的晶体硅层，其中，所述晶体硅层包括：第一晶体硅区域；以及在所述第一晶体硅区域上的包括多个突起物的须状的晶体硅区域，以及其中，所述多个突起物中的至少一个突起物包括弯曲的部分或分支的部分。
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